Subhash H. Risbud, distinto professor do Departamento de Ciência e Engenharia de Materiais da Universidade da Califórnia, Davis, declarou: “Esses resultados muito interessantes do trabalho de pesquisa atual com Homerun revelaram pela primeira vez como um processo a laser de etapa única pode converter amostras de areia impura bruta em apenas duas horas para um nível de pureza de sílica de 99,999%. O processo de laser térmico utilizado não apenas evita o uso de produtos químicos perigosos, mas também elimina a necessidade de máquinas que consomem muita energia, normalmente usadas na purificação mecânica e química. Este processo a laser é notável por sua versatilidade à medida que as demandas de produção de novos substratos de chips semicondutores fazem a transição do silício convencional para o SiC e outros materiais de bandgap mais amplos. A base para essas tecnologias no horizonte são pós produzidos economicamente de sílica ultrapura conversível em silício, carboneto de silício, nitreto de silício e oxinitretos e oxicarbetos.  A ampla gama de aplicações desses novos materiais terá um impacto dramático no mundo dos negócios de produtos baseados em chips eletrônicos e fotônicos, ânodos de baterias, células solares, vidro e refratários de alta temperatura para aço e ligas metálicas.”

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